101年3月號 道 法 法 訊 (239)

DEEP & FAR

產品製程請求項之解讀方式-

(Fed. Cir.2007-1400) (五)

陳榮福 專利代理人

‧中國醫藥學院藥學系學士

‧日本福岡大學生藥學所碩士

‧陽明大學醫學藥理所博士

1) ”晶體”係指於說明書中所稱之A結晶；

2)” 顯示”要求粉末 x 射線繞射圖案之展現，以顯示符合科學上可接受之確定性程度，且不論係以呈現數據之視覺，或其它適當方法；

3) “peaks” 係指“波峰”之複數，“波峰”存在於粉末 x 射線繞射角度對應於可歸大於” 雜訊(noise)” 測量之測量強度，(如該角度之前及後係立即出現較低強度之粉末 x 射線繞射角度)；雜訊係指PXRD 圖案於其內本質測試錯誤所產生之某些部分，且其於標的材料之PXRD測試上無法與科學性有意義之數量相連結；

4) ” 大約”包括與粉末 x 射線繞之射測試本質相關之測試錯誤([1])

維吉尼亞州東區地方法院也認為，專利範圍 2-5 項係產品製程之請求項([2])。其後地方法院認定專利範圍 2-5 項為製程，其有”可獲得”詞句限制專利範圍至所敘述特定之製程與步驟。獲此結論之際，審判法院遵循Atlantic Thermoplastics Co. v. Faytex Corp. 法院意見([3])。

 於Lupin上訴案，Abbott僅對於維吉尼亞州東區地方法院”晶體”和”可獲得”之解釋有所爭辯。

 III.

非侵權性簡易判決之評估，需要兩個步驟：請求項之解釋，此為該法庭所審議，但不予尊重([4])，以及比對受控產品、流程或組成以及正確解釋之請求項，其在簡易判決之情況亦曾發生不予尊重([5])。